技術(shù)特點(diǎn):
1、適用于IGBT模塊和SiC模塊的量產(chǎn)老化
2、對(duì)于HPD模塊,一個(gè)機(jī)柜試驗(yàn)16個(gè)模塊,3個(gè)機(jī)柜共48個(gè)模塊
3、試驗(yàn)?zāi)J桨ǎ篐TRB、HTGB+、HTGB-,所有模式可編程設(shè)定試驗(yàn)電壓及時(shí)長
4、試驗(yàn)溫度:室溫~200度,試驗(yàn)電壓:RB 10~2000V,GB:+-40V
5、熱板式HTXB,加熱為熱板方式,接觸為控針卡方式